中国国产浸没式DUV光刻机实现量产 国产高端芯片装备迈出关键一步

【美南新闻·泉深】据路透社独家报道，中国已开始量产自主研发的浸没式深紫外（Immersion DUV）光刻机，这是中国半导体产业发展历程中的一项重要突破，也标志着中国在先进芯片制造核心装备领域取得关键进展，为减少对国外高端光刻设备的依赖迈出了具有战略意义的一步。

消息人士透露，此次量产工作由上海爱生纳电子科技集团（Shanghai Aishengna Electronic Technology Group）主导推进。这家国有企业于2023年成立，注册资本约70亿元人民币，并整合了中国多家光刻设备研发团队，包括上海微电子（SMEE）及其他本土光刻技术企业的人才和技术资源，集中力量攻克高端光刻装备这一长期受制于人的核心技术。

浸没式DUV为何意义重大？

光刻机被誉为芯片制造产业链中最复杂、技术含量最高的设备，被称为半导体工业的“皇冠上的明珠”。

目前全球先进光刻机主要分为：

* EUV（极紫外光刻机）：主要用于3纳米、2纳米等最先进芯片制造，目前全球只有荷兰ASML能够商业化生产。

* Immersion DUV（浸没式深紫外光刻机）：采用193纳米激光，并利用纯水提高光线折射率，可制造28纳米芯片，并结合多重曝光（Multi-patterning）技术生产7纳米甚至更先进制程芯片。

由于美国及其盟友近年来持续加强出口管制，中国企业无法获得最新EUV设备，而浸没式DUV便成为目前中国先进芯片制造最重要的设备之一。

首批设备今年交付国内龙头企业

报道称，首批国产浸没式DUV光刻机预计将在今年交付，包括：

* 中芯国际（SMIC）

* 华虹半导体（Hua Hong Semiconductor）

* 长鑫存储（CXMT）

初期产量仍然有限，预计2026年生产约5台，2027年提升至约20台，为国内晶圆制造企业提供国产化设备选择。

对ASML构成长远挑战

长期以来，荷兰ASML几乎垄断全球高端DUV及EUV光刻设备市场。

中国国产设备量产消息公布后，引发资本市场强烈反应。ASML股价一度大跌超过7%，随后跌幅进一步扩大，欧洲半导体设备相关企业股价也普遍下挫，显示投资者担忧中国未来可能逐步削弱ASML在中国市场的重要地位。

不过，多位分析人士认为，目前国产设备在精度、稳定性、生产效率和长期可靠性方面，与ASML成熟产品仍存在明显差距，因此短期内不会对ASML全球市场形成实质性冲击。

中国半导体自主化取得阶段性突破

近年来，美国持续扩大对中国半导体产业的出口限制，包括限制EUV设备出口，并不断收紧DUV设备及相关维护服务。

在此背景下，中国持续加大半导体产业投入，推动EDA软件、刻蚀设备、薄膜沉积设备、检测设备以及光刻机等关键领域国产化。

业内人士认为，此次浸没式DUV光刻机进入量产，意味着中国已经突破先进光刻设备研发的重要门槛。虽然距离国际领先水平仍有距离，但从“研发成功”迈向“批量制造”，代表中国在高端半导体装备自主可控道路上迈出了具有里程碑意义的一步。

未来，随着设备不断迭代升级、良率提升和产业链完善，中国国产光刻机有望逐步扩大市场应用范围，为中国半导体产业建立更加自主、安全和稳定的供应体系提供重要支撑。